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Samsung Electronics desarrolla tecnología de memoria DRAM basada en CXL de próxima generación

Samsung Electronics desarrolla tecnología de memoria DRAM basada en CXL de próxima generación

Samsung Electronics anunció el martes que ha desarrollado la tecnología de memoria DRAM basada en la interfaz “Compute Express Link (CXL)” de próxima generación por primera vez en la industria.

Samsung Electronics se ha asegurado el liderazgo en tecnología de semiconductores de próxima generación mediante el desarrollo de tecnología DRAM de gran capacidad y ancho de banda que puede mejorar drásticamente el rendimiento del centro de datos en términos de inteligencia artificial, aprendizaje automático y big data.

Samsung Electronics verificó la memoria DRAM basada en CXL desarrollada esta vez en la plataforma de Intel para asegurar la tecnología básica para una solución DRAM de gran capacidad requerida por el centro de datos de próxima generación y expandir la cooperación con los principales centros de datos globales y empresas de nube.

Recientemente, a medida que aumenta el número de aplicaciones que utilizan inteligencia artificial (IA) y big data, la cantidad de datos a procesar se está desbordando. Sin embargo, con la interfaz DDR existente que utilizan los centros de datos y las plataformas de servidor actuales, existe un límite en la cantidad de DRAM que se puede instalar en el sistema y una nueva alternativa para superar esto se ha necesitado constantemente.

CXL es una interfaz propuesta recientemente para utilizar de manera más eficiente los aceleradores, la memoria y los dispositivos de almacenamiento utilizados con la CPU (unidad central de procesamiento) en sistemas informáticos de alto rendimiento, que pueden superar las limitaciones físicas de la capacidad de la memoria y aumentar drásticamente la capacidad de la DRAM.

Samsung Electronics ha aplicado el EDSFF (factor de forma de SSD para centros de datos y empresas), que se aplica a los SSD de gran capacidad, a la CXL DRAM por primera vez en la industria. CXL DRAM puede coexistir con la DRAM principal del sistema existente y ampliar la capacidad de memoria del sistema a terabytes.

El controlador DRAM existente solo sirvió como un búfer simple para almacenar datos temporalmente, pero Samsung Electronics ha aplicado tecnología de controlador de vanguardia a la DRAM CXL para que sea posible para los clientes que utilizan activamente big data, inteligencia artificial, aprendizaje automático y en -Base de datos de memoria, para utilizar CXL DRAM.

El controlador CXL DRAM recientemente desarrollado presenta tecnologías de “mapeo de memoria” y “conversión de interfaz”, minimizando los errores del sistema y asegurando la confiabilidad de los datos para que el sistema informático pueda usar la memoria principal DDR DRAM y CXL DRAM con diferentes interfaces. Es compatible con la “gestión de errores” que puede minimizar los errores del sistema y mejorar la fiabilidad de los datos.

Fuente: ANI

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